Главная
База знаний
АСИНХРОННЫЕ SRAM (ОЗУ) - LOW POWER (МАЛОПОТРЕБЛЯЮЩИЕ) И HIGH SPEED (ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ)

АСИНХРОННЫЕ SRAM (ОЗУ) - LOW POWER (МАЛОПОТРЕБЛЯЮЩИЕ) И HIGH SPEED (ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ)

Система обозначений фирмы "Samsung":

1. Память: K
2. Асинхронная SRAM: 6
3. Малая классификация:
E: Corner Vcc/ Vss + Fast SRAM, F: fCMOS Cell + LPSRAM, H: High Speed(LPSRAM),
X: High Voltage(LPSRAM), J: BICMOS, R: Center Vcc/Vss + Fast SRAM,
T: TFT Cell + LPSRAM, G: fCMOS Cell+LPSRAM+Sync.Burst, M: Mobile SRAM
4~5. Объем:
  06: 64K,  08: 256K,  09: 512K,  10: 1M,  16: 16M,  20: 2M,  28: 128M,  30:3M,  32: 32M,  40: 4M,  56: 256M,  64: 64M,  80: 8M.
6~7. Организация:
  04: x4,   08: x8,   16: x16,   24 : x24
8. Напряжение питания:
  C: 5.0В,  Q: 3.0В(ВDDQ=1.8В),   R: 1.65В~2.2В,  S: 2.5В,   T: 2.7В~3.6В,  U: 3.0В,   V: 3.3В,  W: 2.2В~3.3В
9. Режим:
  1: CS Low Active,   2: CS1, CS2 - Dual Chip Select Signal,   3: Single Chip Select with /LB,/UB(tOE),
  4: Single Chip Select with /LB,/UB(tCS),   5: Dual Chip Select with /LB,/UB(tOE),   6: Dual Chip Select with /LB,/UB(tCS),
  7: I/Os Control with /BYTE,   9: Multiplexed Address,   A: Mirror Chip Option,   B: Page Mode,   C: Sync. Burst
10. Поколение:
  M: Первое, A: Второе, B: Третье, C: Четвертое, D: Пятое, E: Шестое, LJ: Седьмое, G: Восьмое, H: Девятое
11. -
12. Корпус:
  A: TBGA(LF), 9: SOP(LF), C: CHIP BIZ, E: TBGA, G: SOP, J: SOJ, L: TSOP1-0813.4(LF), P: TSOP1-0820(LF), Q: TSOP2-400R(LF), T: TSOP, U: TSOP2-400(LF)
13. Диапазон рабочих температур, потребляемая мощность:
A: Автомобильный, Normal; B: Коммерческий, Low Low; C: Коммерческий, Normal; D: Расширенный, Low Low; E: Расширенный, Normal;
F: Промышленный, Low Low; I: Промышленный, Normal; L: Коммерческий, Low; P: Промышленный, Low; Q: Автомобильный, Low; R: Промышленный, Super Low
14~15. Время доступа (tAA):
10: 100нс, 12: 120нс, 20: 20нс, 25: 25нс, 35: 35нс, 45: 45нс, 55: 55нс, 70: 70нс, 85: 85нс
  Высокоскоростные - 08: 8нс, 09: 9нс, 10: 10нс, 12: 12нс, 15: 15нс

Система обозначений фирмы "Alliance Semiconductor":

4098A

1. Префикс: Alliance Semiconductor
2. Тип: 7С: КМОП SRAM
3. Напряжение питания: " "(пусто): 5В, 3: 3,3В
4. Объем, организация:
  164: 8Кх8, 256А: 32Кх8, 513В: 32Кх16, 1024В/1025В: 128Кх8, 1026В: 64Кх16, 4096/4096А: 512Кх8, 4098/4098А: 256Кх16
5. Время доступа (в нс): 10, 12, 15, 20
6. Корпус:  J/TJ: SOJ, T: TSOP, ST: sTSOP
7. Диапазон рабочих температур:  С: Коммерческий (0…+70°С), I: Промышленный (-40…+85°С)

Система обозначений фирмы "Cypress Semiconductor":

СY

128

1. Префикс: Cypress Semiconductor
2. Тип: 7С: КМОП SRAM, 62 - Low Power SRAM
3. Объем, организация:
  a) Для Low Power SRAM - 64: 8Kx8, 256: 32Kx8, 128: 128Kx8, 138: 256Kx8, 148: 512Kx8, 158: 1024Kx8, 168: 2048Kx8, 126: 64Kx16, 127: 64Kx16, 136: 128Kx16, 137: 128Kx16, 146: 256Kx16, 147: 256Kx16, 157: 512Kx16, 167: 1024Kx16
  b) Для КМОП SRAM - 167: 16Kх1, 187: 64Kх1, 197: 256Kх1, 107/1007: 1Mх1, 106/1006: 256Kх4, 147/149/150/168: 4Kх4, 164/166: 16Kх4, 192/ 194/195: 64Kх4, 1046: 1Mх4, 128: 2Kх8, 185/186: 8Kх8, 198/199/1399: 32Kх8, 109/1009/1018/1019/10191: 128Kх8, 1049: 512Kх8,1069: 2Mх8, 182: 8Kх9, 188: 32Kх9, 1020: 32Kх16, 1021/12011: 64Kх16, 1011: 128Kх16, 1041: 256Kх16, 1061: 1Mх16, 1012: 512Kх24, 1024: 128Kх24, 1062: 512Kх32
4. Потребляемая мощность, напряжение питания:
  L: LOW-POWER, LL: SUPER-LOW POWER, V: 3.3В, V33: 3.3В, V30: 3.0В, V26: 2.6В, V25: 2.5В, V18: 1.8В, " "(пусто): 5В
5. Время доступа (в нс)
6. Корпус:
  A/AJ: TQFP, J: PLCC, P: DIP, S/V: SOIC, Z/ZA/ZU/ZS: TSOP
7. Диапазон рабочих температур:
  С: Коммерческий (0…+70°С), I: Промышленный (-40…+85°С), E: Автомобильный (-40°…+125°C), M: Военный (расширенный) (-55…+125°C)